一個PN結加上電引線封裝起來就構成了二極管。下麵就簡要介紹一下PN節的構成以及其工作原理。
PN結名思義就是由p型半導體和n型半導體組成的半導體交接界麵。對於p型半導體，由於在四價元素構成的半導體當中摻雜了三價元素，比如在矽中摻雜硼。三價元素的原子可以接受電子變成負離子，相應的，在共價鍵當中並產生了帶一個正電荷的空穴，由於電子的移動與傳遞，在外可以表現出空穴的移動。而n型半導體，則相當於在矽中摻雜五價元素磷，由於五價元素的存在，便使電子增多，脫離原子核的吸引，而變成自由電子。
所以，當p型半導體和n型半導體相結合，兩者的中間由於電子和空穴的濃度不同，產生擴散現象。當擴散現象進行到一定程度，兩者交界處會由於電荷的中和形成內建電場，而內建電場的作用又會使得p型半導體當中的空穴和n型半導體中的電子產生漂移現象，也就是由於內建電場的作用，空穴和電子產生與擴散現象相反的方向的流動。這便是PN結的構成和工作原理。
我們都知道二極管有正向導通、反向截止的特性，這一特性正是由於PN結的正向特性和反向特性所決定的。對PN結而言，加正向的電壓，也就是相當於二極管加正向電壓。P端接電源正極。顯然，此時外加電壓與內建電場的場強方向是相反的。這便加劇了空穴和電子的擴散運動，而減少了漂移運動。由於p區的空穴量遠多於電子數量，而n區的電子數量遠多於空穴量，所以擴散運動可以變得比較強，在外也就表現出正向導通特性。而PN結所加反向電壓時，其內建電場便會因為加電源的存在而得到加強。內建電場的加強使得擴散作用受到阻礙,同時也使得漂移現象得到加強，漂移現象的加強又使得內建電場的寬度得到增加。由於漂移運動是p區的電子和n區的空穴相互運動所產生的，其餘數目過少，因而表現出很小的電流導通性。
此外，二極管其實還存在擊穿現象。二極管在一定範圍內的擊穿，並不代表二極管的損壞。當二極管加反向電壓達到一定的數值之後，二極管的電流會急劇增大，會產生雪崩擊穿或者齊納擊穿。這兩種擊穿都有各自的特點，也有各自的作用，在這就不多說了。其原因都有一個共性，必然是PN結當中可運動的自由電子和自由空穴的增多。一種是高能的載流子對共價鍵的碰撞產生新的電子空穴，另一種是強大的電場直接將共價鍵破壞，產生電子和空穴對。
其實三極管和二極管有很大的相似之處，畢竟都離不開PN結。
