關於晶體管ON時的逆向電流
在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負，由發射極 (E) 流向C的是逆電流。
1. 不用擔心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的。
2. NPN-Tr的B和C對稱、和E極同樣是N型。
也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。
hFE低（正向約10%以下）
耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)
↑通用TR的情況，除此之外，還有5V以下
(突破此耐壓範圍，會發生hFE低下等特性的劣化，請注意。)
VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化
關於封裝功率容許功率
定義：是指由於輸入晶體管的電壓、電流產生的功耗在元件發熱時，結溫Tj為絕對最大額定值限定的溫度(Tj＝150°C)時的功率。
這裏，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自測定時的設定值或測定結果直接得出，但是隻有Tj不能直接得出。因此，如下列出使用VBE的測試方法。
VBE測定法 矽晶體管的情況下 基極-發射極間電壓：VBE根據溫度變化。
圖1. 熱電阻測量電路
由此，通過測定VBE，可以推測結溫。
通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC(max)。
(假設1W晶體管的情況下，輸入條件為VCB=10V IE=100mA)
如圖2:
測定VBE的初始值VBE1
對晶體管輸入功率，使PN結熱飽和
VBE的後續值：測定VBE2
從這個結果得出△VBE=VBE2-VBE1。
這裏，矽晶體管根據溫度具有一定的溫度係數。約為ー2.2mV/ºC。
（達林頓晶體管為ー4.4mV/ºC）
因此，根據由輸入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的結溫。
fT：增益帶寬積、截止頻率
fT：增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。
所謂極限，即基極電流對集電極電流的比為1（即hFE=1）的情況。
提高基極輸入頻率，hFE變低。
這時，hFE為1時的頻率叫做fT（增益帶寬積）。
fT指在該頻率下能夠工作的極限值。
但是，實際使用時能夠動作的隻有fT值的1/5 to 1/10左右。
測定條件如下
f： 根據測定裝置而定。為測定的標準頻率。
VCE：任意設定。我公司為一般值。
IC：任意設定。我公司為一般值。
